项目 | 规格/参数 |
反应腔体 | 基于热辐射技术的侧流/喷淋模式的双腔反应腔,保证温度的均一性,配置快速气体分气单元,抑制类CVD反应,保证薄膜质量,提高生长效率。 |
反应腔温度 | RT-500 ℃,控制精度 ±0.5 ℃ |
前驱体配置 | 液态、固态、气态、臭氧源;热源500 mL采用热辐射设计防止堵塞问题,常温源200 mL |
衬底规格 | 8 inch以下兼容,可定制12 inch |
压力计 | Inficon,检测范围 1000 - 2.5×10⁻⁴ Torr |
阀门 | Fujikin,耐热温度200 ℃,可选配300 ℃ |
流量计 | Horiba,0-1000 sccm |
载气 | N₂ 或 Ar |
真空泵 | 防腐油泵、干泵,根据需求配置 |
控制 | 电脑+PLC,可配置工控机 |
薄膜参数 | 8英寸硅片沉积50纳米厚度氧化铝非均匀性小于0.5 %,漏电流密度小于10E-8A/cm2@3MV/cm |
配套工艺方案 | 16年ALD工艺与装备经验积累,配套成熟的recipe供客户免费使用,免费提供技术指导 |
可选 | Loadlock等其他功能根据客户需求选配 |